На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFR505,215 | BFR505T,115 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <18 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >605mA, 6V | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 9 ГГц | |
Коэффициент шума | NF | 1.2 дБ ~ 1.9 дБ900MHz ~ 2GHz | 1.2 дБ ~ 1.7 дБ900MHz |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | |
Коэффициент усиления | KdB | 17 дБ ~ 10 дБ | |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 4 dBm | |