BFR360FE6327

BFR360, BFR360FE6327, BFR360FE6765, BFR360L3E6327, BFR360L3E6765, BFR360TE6327

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBFR360FE6327BFR360FE6765BFR360L3E6327BFR360L3E6765BFR360TE6327
Корпус микросхемы
Корпус
TSFP-3
Производитель
Производитель
Infineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<35 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<6 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<210 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>9015mA, 3V>9015mA, 3V>9015mA, 3V>9015mA, 3V>6015mA, 3V
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
14 ГГц
Коэффициент шума
NF
1 дБ1.8GHz1 дБ1.8GHz1 дБ ~ 1.3 дБ1.8GHz ~ 3GHz1 дБ ~ 1.3 дБ1.8GHz ~ 3GHz1 дБ1.8GHz
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Коэффициент усиления
KdB
15.5 дБ15.5 дБ16 дБ ~ 11.5 дБ16 дБ ~ 11.5 дБ13.5 дБ ~ 9.5 дБ
Compression Point (P1dB)
P1dB
9 dBm