На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFR183E6327 | BFR183TE6327 | BFR183WE6327 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | SC-75 | SOT-323 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <65 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <12 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <450 мВт | <250 мВт | <450 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >7015mA, 8V | >5015mA, 8V | >7015mA, 8V |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 8 ГГц | ||
Коэффициент шума | NF | 900 мдБ ~ 1.4 дБ900MHz ~ 1.8GHz | 1.2 дБ ~ 2 дБ900MHz ~ 1.8GHz | 900 мдБ ~ 1.4 дБ900MHz ~ 1.8GHz |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | ||
Коэффициент усиления | KdB | 17.5 дБ | 19.5 дБ | 18.5 дБ |