На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFR181E6327 | BFR181E6780 | BFR181TE6327 | BFR181WE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | SOT-23 | SC-75 | SOT-323 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <20 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <12 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <175 мВт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >705mA, 8V | >705mA, 8V | >505mA, 8V | >705mA, 8V |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 8 ГГц | |||
Коэффициент шума | NF | 900 мдБ ~ 1.2 дБ900MHz ~ 1.8GHz | 900 мдБ ~ 1.2 дБ900MHz ~ 1.8GHz | 1.45 дБ ~ 1.8 дБ900MHz ~ 1.8GHz | 900 мдБ ~ 1.2 дБ900MHz ~ 1.8GHz |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | |||
Коэффициент усиления | KdB | 18.5 дБ | 18.5 дБ | 13.5 дБ ~ 10 дБ | 19 дБ |