На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFR106,215 | BFR106E6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | <210 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | <700 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >2550mA, 9V | >7070mA, 8V |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 5 ГГц | |
Коэффициент шума | NF | 3.5 дБ800MHz | 1.8 дБ ~ 3 дБ900MHz ~ 1.8Ghz |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | |
Коэффициент усиления | KdB | 11.5 дБ | 13 дБ ~ 8.5 дБ |