На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFQ19,115 | BFQ19SE6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-89 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | <210 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1 Вт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >2570mA, 10V | >7070mA, 8V |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 5.5 ГГц | |
Коэффициент шума | NF | 3.3 дБ500MHz | 1.8 дБ ~ 3 дБ900MHz ~ 1.8Ghz |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | |
Коэффициент усиления | KdB | ||