На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFP650E6327 | BFP650FE6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343, SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343, TSFP-4 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <150 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <4.5 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >11080mA, 3V | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 37 ГГц | 42 ГГц |
Коэффициент шума | NF | 800 мдБ ~ 1.9 дБ1.8GHz ~ 6GHz | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | |
Коэффициент усиления | KdB | 21.5 дБ ~ 10.5 дБ1.8GHz ~ 6GHz | 21.5 дБ ~ 11 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 18 dBm | 17.5 dBm |