На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFP620E6327 | BFP620E7764 | BFP620FE7764 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | TSFP-4 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <80 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <2.3 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <185 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >11050mA, 1.5V | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 65 ГГц | ||
Коэффициент шума | NF | 700 мдБ ~ 1.3 дБ1.8GHz ~ 6GHz | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | ||
Коэффициент усиления | KdB | 21.5 дБ | 21.5 дБ | 21 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 14.5 dBm | 14.5 dBm | 14 dBm |