На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFP540E6327 | BFP540ESDE6327 | BFP540FE6327 | BFP540FESDE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | TSFP-4 | TSFP-4 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <80 мА | |||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <4.5 В | |||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | |||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >5020mA, 3.5V | |||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 30 ГГц | |||
Коэффициент шума | NF | 900 мдБ ~ 1.4 дБ1.8GHz | |||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | |||
Коэффициент усиления | KdB | 21.5 дБ | 21.5 дБ | 20 дБ | 16 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 11 dBm | |||