На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFP420E6327 | BFP420E6433 | BFP420FE6327 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | TSFP-4 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <35 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <4.5 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <160 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >6020mA, 4V | >6020mA, 4V | >605mA, 4V |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 25 ГГц | ||
Коэффициент шума | NF | 1.1 дБ1.8GHz | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | ||
Коэффициент усиления | KdB | 21 дБ | 21 дБ | 19.5 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 12 dBm | 12 dBm | 10.5 dBm |