На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFP182E7764 | BFP182RE7764 | BFP182WE6327 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-143R | SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <35 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <12 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >7010mA, 8V | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 8 ГГц | ||
Коэффициент шума | NF | 900 мдБ ~ 1.3 дБ900MHz ~ 1.8GHz | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | ||
Коэффициент усиления | KdB | 22 дБ | ||