BFG590,215

BFG590, BFG590,215, BFG590/X,215

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBFG590,215BFG590/X,215
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<200 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<15 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<400 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>5035mA, 8V
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
5 ГГц
Коэффициент шума
NF
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Коэффициент усиления
KdB
13 дБ