На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFG541,115 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <120 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <650 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >6040mA, 8V |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 9 ГГц |
Коэффициент шума | NF | 1.3 дБ ~ 1.8 дБ900MHz |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 |
Коэффициент усиления | KdB | 15 дБ ~ 9 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 21 dBm |