На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFG540,215 | BFG540W,115 | BFG540W/X,115 | BFG540/X,215 | BFG540/XR,215 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-343N | SOT-343N | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <120 мА | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <400 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <400 мВт | <400 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >6040mA, 8V | >10040mA, 8V | >10040mA, 8V | >10040mA, 8V | >6040mA, 8V |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 9 ГГц | ||||
Коэффициент шума | NF | 1.9 дБ ~ 2.4 дБ900MHz | 2.1 дБ2GHz | 2.1 дБ2GHz | 1.3 дБ ~ 2.1 дБ900MHz ~ 2GHz | 1.3 дБ ~ 1.8 дБ900MHz |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | ||||
Коэффициент усиления | KdB | |||||
Compression Point (P1dB) | P1dB | 21 dBm | ||||