На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BFG520,215 | BFG520W,115 | BFG520W/X,115 | BFG520/X,215 | BFG520/XR,215 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-343N | SOT-343N | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <70 мА | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <15 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <300 мВт | <300 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >6020mA, 6V | ||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 9 ГГц | ||||
Коэффициент шума | NF | 1.6 дБ ~ 2.1 дБ900MHz | 1.1 дБ ~ 1.6 дБ900MHz | 1.1 дБ ~ 1.6 дБ900MHz | 1.6 дБ ~ 2.1 дБ900MHz | 1.6 дБ ~ 2.1 дБ900MHz |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | ||||
Коэффициент усиления | KdB | |||||
Compression Point (P1dB) | P1dB | 17 dBm | 17 dBm | (не задано) | 17 dBm | 17 dBm |