BFG310W/XR,115

BFG310, BFG310W/XR,115, BFG310/XR,215

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBFG310W/XR,115BFG310/XR,215
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-343RSOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<10 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<6 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<60 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>605mA, 3V
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
14 ГГц
Коэффициент шума
NF
1 дБ2GHz
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Коэффициент усиления
KdB
18.3 дБ
Compression Point (P1dB)
P1dB
1.8 dBm