На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BF799E6327 | BF799WE6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23 | SOT-323 |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <35 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <20 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <280 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >4020mA | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 1.1 ГГц | |
Коэффициент шума | NF | 3 дБ100MHz | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | |
Коэффициент усиления | KdB | ||