На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | AT-64020 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 4-SMD (200 mil BeO) |
Производитель | Производитель | Avago Technologies US Inc. |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <200 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <20 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <3 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >20110mA, 8V |
Коэффициент шума | NF | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 |
Коэффициент усиления | KdB | |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 26.4 dBm ~ 27.5 dBm |