На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | AT-41435G | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 4-SMD (35 micro-X) |
Производитель | Производитель | Avago Technologies US Inc. |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <60 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <12 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >3010mA, 8V |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 8 ГГц |
Коэффициент шума | NF | 1.3 дБ ~ 3 дБ1GHz ~ 4GHz |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 |
Коэффициент усиления | KdB | 18.5 дБ ~ 10 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 19 dBm ~ 18.5 dBm |