AT-32011

AT-32011, AT-32011-BLKG, AT-32011-TR1, AT-32011-TR1G, AT-32011-TR2G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрAT-32011-BLKGAT-32011-TR1AT-32011-TR1GAT-32011-TR2G
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Производитель
Производитель
Avago Technologies US Inc.
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<16 мА<32 мА<32 мА<16 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<5.5 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>701mA, 2.7V>702mA, 2.7V>702mA, 2.7V>701mA, 2.7V
Коэффициент шума
NF
900 мдБ ~ 1.2 дБ900MHz1 дБ900MHz1 дБ ~ 1.3 дБ900MHz900 мдБ ~ 1.2 дБ900MHz
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Коэффициент усиления
KdB
9 дБ ~ 11 дБ12.5 дБ ~ 14 дБ12.5 дБ ~ 14 дБ9 дБ ~ 11 дБ
Compression Point (P1dB)
P1dB
9 dBm(не задано)(не задано)9 dBm