На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 4MN10CH-TL-E | |
|---|---|---|
Производитель | Производитель | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <200 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <600 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >6010mA, 10V |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | 400 МГц |
Коэффициент шума | NF | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 |
Коэффициент усиления | KdB |