На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TLP630(GB-TAIE) | TLP630(GB,F) | TLP630(TAIE) | |
|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Входной ток | Iin | <60 мА | ||
Выходное напряжение | Uout | <55 В | ||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP | ||
Каналов | Каналов | 1 | ||
Производитель | Производитель | Toshiba | ||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <5 кВRMS | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | ||
Тип входа оптопары | Тип входа | AC, DC | ||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <50 мА | ||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor with Base | ||
Current Transfer Ratio | K | >100 %5mA | >100 %5mA | >50 %5mA |