TLP181(BL-TPR)

TLP181, TLP181(BL-TPR,F,T), TLP181(BL-TPR), TLP181(F,T), TLP181(GB-TPR,F,T), TLP181(GB,F,T), TLP181(GB), TLP181(GR-TPR,F,T), TLP181(GR-TPR), TLP181(TPR,F,T), TLP181(TPR), TLP181(Y-TPR,F,T), TLP181(Y-TPR)

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрTLP181(BL-TPR,F,T)TLP181(BL-TPR)TLP181(F,T)TLP181(GB-TPR,F,T)TLP181(GB,F,T)TLP181(GB)TLP181(GR-TPR,F,T)TLP181(GR-TPR)TLP181(TPR,F,T)TLP181(TPR)TLP181(Y-TPR,F,T)TLP181(Y-TPR)
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Входной ток
Iin
<50 мА
Выходное напряжение
Uout
<80 В
Корпус микросхемы
Корпус
4-SMD
Каналов
Каналов
1
Производитель
Производитель
Toshiba
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<3.75 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВ
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<50 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Transistor
Current Transfer Ratio
K
>200 %5mA>200 %5mA>200 %5mA>100 %5mA>100 %5mA>50 %5mA>100 %5mA>100 %5mA>50 %5mA>50 %5mA>50 %5mA>50 %5mA