На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | TLP180(GB-TPL,F,T) | TLP180(GB-TPL,T) | TLP180(GB,F,T) | TLP180(GB) | TLP180(TPR,F,T) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Выходное напряжение | Uout | <80 В | ||||
Корпус микросхемы | Корпус | 4-MSOP | ||||
Каналов | Каналов | 1 | ||||
Производитель | Производитель | Toshiba | ||||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <3.75 кВRMS | ||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | <400 мВ | <400 мВ | <400 мВ | (не задано) |
Тип входа оптопары | Тип входа | AC, DC | ||||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <50 мА | ||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor | ||||
Current Transfer Ratio | K | >100 %5mA | >100 %5mA | >100 %5mA | >100 %5mA | >50 %5mA |