MOCD223R1M

MOCD223, MOCD223M, MOCD223R1M, MOCD223R1VM, MOCD223R2M, MOCD223R2VM, MOCD223VM

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMOCD223MMOCD223R1MMOCD223R1VMMOCD223R2MMOCD223R2VMMOCD223VM
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный(не задано)ПоверхностныйПоверхностный
Входной ток
Iin
<60 мА<60 мА<60 мА(не задано)<60 мА<60 мА
Выходное напряжение
Uout
<30 В<30 В<30 В(не задано)<30 В<30 В
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC8-SOIC8-SOIC8-SOIC8-SOIC
Каналов
Каналов
22222
Производитель
Производитель
Fairchild Optoelectronics Grou
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS(не задано)<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1 В<1 В<1 В(не задано)<1 В<1 В
Тип входа оптопары
Тип входа
DCDCDC(не задано)DCDC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<150 мА<150 мА<150 мА(не задано)<150 мА<150 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
DarlingtonDarlingtonDarlington(не задано)DarlingtonDarlington
Current Transfer Ratio
K
>500 %1mA>500 %1mA>500 %1mA(не задано)>500 %1mA>500 %1mA