На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MOCD213M | MOCD213R1M | MOCD213R1VM | MOCD213R2M | MOCD213R2VM | MOCD213VM | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Входной ток | Iin | <60 мА | |||||
Выходное напряжение | Uout | <70 В | |||||
Корпус микросхемы | Корпус | 8-SOIC | |||||
Каналов | Каналов | 2 | |||||
Производитель | Производитель | Fairchild Optoelectronics Grou | |||||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <2.5 кВRMS | |||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | |||||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | |||||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <150 мА | |||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor | |||||
Current Transfer Ratio | K | >100 %10mA | |||||