MOC217M_F132

MOC217, MOC217M, MOC217M_F132, MOC217R1M, MOC217R1VM, MOC217R2M, MOC217R2M_F132, MOC217R2VM, MOC217VM

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMOC217MMOC217M_F132MOC217R1MMOC217R1VMMOC217R2MMOC217R2M_F132MOC217R2VMMOC217VM
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Входной ток
Iin
<60 мА
Выходное напряжение
Uout
<30 В
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC8-SOIC (3.9мм ширина)8-SOIC8-SOIC8-SOIC8-SOIC (3.9мм ширина)8-SOIC8-SOIC
Каналов
Каналов
1
Производитель
Производитель
Fairchild Optoelectronics GrouFairchild SemiconductorFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild SemiconductorFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics Grou
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<2.5 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВ
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<150 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Transistor with Base
Current Transfer Ratio
K
>100 %10mA