На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MCT9001S | MCT9001SD | MCT9001W | |
|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия |
Входной ток | Iin | <60 мА | ||
Выходное напряжение | Uout | <55 В | ||
Корпус микросхемы | Корпус | 8-DIP, 8-SMD | 8-DIP, 8-SMD | 8-DIP, 8-DIP (400 mil) |
Каналов | Каналов | 2 | ||
Производитель | Производитель | Fairchild Optoelectronics Grou | ||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <5 кВRMS | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | ||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | ||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <30 мА | ||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor | ||
Current Transfer Ratio | K | >50 %5mA | ||