На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MCT62H | MCT62S | MCT62SD | MCT62W | |
|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия |
Входной ток | Iin | <60 мА | |||
Выходное напряжение | Uout | <30 В | |||
Корпус микросхемы | Корпус | 8-DIP, 8-DIP (300 mil) | 8-DIP, 8-SMD | 8-DIP, 8-SMD (Wide) | 8-DIP, 8-DIP (400 mil) |
Каналов | Каналов | 2 | |||
Производитель | Производитель | Vishay/Semiconductors | |||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <5 кВRMS | |||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | |||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | |||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <30 мА | |||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor | |||
Current Transfer Ratio | K | >100 %5mA | |||