На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MCT5210M | MCT5210S | MCT5210SD | MCT5210SM | MCT5210W | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия |
Входной ток | Iin | <50 мА | ||||
Выходное напряжение | Uout | <30 В | ||||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | ||||
Производитель | Производитель | Fairchild Optoelectronics Grou | ||||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <5.3 кВRMS | ||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | ||||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | ||||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <150 мА | ||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor with Base | ||||
Current Transfer Ratio | K | >60 %3mA | ||||