MCT2E

MCT2, MCT2E, MCT2E300, MCT2E300W, MCT2E3S, MCT2E3SD, MCT2EFM, MCT2EFR2M, MCT2EFR2VM, MCT2EFVM, MCT2EM, MCT2ES, MCT2ESD, MCT2ESM, MCT2ESR2M, MCT2ESR2VM, MCT2ESVM, MCT2ETM, MCT2ETVM, MCT2EVM, MCT2EW, MCT2FM, MCT2FR2M, MCT2FR2VM, MCT2FVM, MCT2M, MCT2S, MCT2SD, MCT2SM, MCT2SR2M, MCT2SR2VM, MCT2SVM, MCT2TM, MCT2TVM, MCT2VM, MCT2W

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMCT2EMCT2E300MCT2E300WMCT2E3SMCT2E3SDMCT2EFMMCT2EFR2MMCT2EFR2VMMCT2EFVMMCT2EMMCT2ESMCT2ESDMCT2ESMMCT2ESR2MMCT2ESR2VMMCT2ESVMMCT2ETMMCT2ETVMMCT2EVMMCT2EWMCT2FMMCT2FR2MMCT2FR2VMMCT2FVMMCT2MMCT2SMCT2SDMCT2SMMCT2SR2MMCT2SR2VMMCT2SVMMCT2TMMCT2TVMMCT2VMMCT2W
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Входной ток
Iin
<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА
Выходное напряжение
Uout
<30 В
Корпус микросхемы
Корпус
6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP Wide6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SOIC6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SOIC6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP Wide6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP Wide
Каналов
Каналов
1
Производитель
Производитель
Fairchild Optoelectronics Grou
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВ
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<50 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Transistor with Base
Current Transfer Ratio
K
>20 %10mA