На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | H11G2M | H11G2M_F132 | H11G2S | H11G2SD | H11G2SM | H11G2SR2M | H11G2SR2VM | H11G2SVM | H11G2TVM | H11G2VM | H11G2W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия |
Входной ток | Iin | <60 мА | ||||||||||
Выходное напряжение | Uout | <80 В | ||||||||||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | ||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Optoelectronics Grou | ||||||||||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <5.3 кВRMS | ||||||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 В | ||||||||||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | ||||||||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Darlington with Base | ||||||||||
Current Transfer Ratio | K | >500 %1mA | ||||||||||