На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | H11G1M | H11G1S | H11G1SD | H11G1SM | H11G1SR2M | H11G1SR2VM | H11G1TVM | H11G1W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия |
Входной ток | Iin | <60 мА | |||||||
Выходное напряжение | Uout | <100 В | |||||||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | |||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Optoelectronics Grou | |||||||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <5.3 кВRMS | |||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 В | |||||||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | |||||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Darlington with Base | |||||||
Current Transfer Ratio | K | >500 %1mA | |||||||