На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | H11D3M | H11D3S | H11D3SD | H11D3SM | H11D3SR2M | H11D3W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия |
Входной ток | Iin | <60 мА | |||||
Выходное напряжение | Uout | <200 В | |||||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP (300 mil), 6-DIP | 6-DIP (300 mil), 6-SOIC | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | |||||
Производитель | Производитель | Vishay/Semiconductors | |||||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <5.3 кВRMS | |||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | |||||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | |||||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <100 мА | |||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor with Base | |||||
Current Transfer Ratio | K | >20 %10mA | |||||