На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | H11D2M | H11D2S | H11D2SD | H11D2SR2M | H11D2SR2VM | H11D2VM | H11D2W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия |
Входной ток | Iin | <60 мА | ||||||
Выходное напряжение | Uout | <300 В | ||||||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide | 6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | ||||||
Производитель | Производитель | Vishay/Semiconductors | ||||||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <5.3 кВRMS | ||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | ||||||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | ||||||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <100 мА | ||||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor with Base | ||||||
Current Transfer Ratio | K | >20 %10mA | ||||||