H11D1

H11D1, H11D1M, H11D1S, H11D1S-TA, H11D1S-TA1, H11D1SD, H11D1SM, H11D1SR2M, H11D1SR2VM, H11D1SVM, H11D1TM, H11D1VM, H11D1W

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрH11D1MH11D1SH11D1S-TAH11D1S-TA1H11D1SDH11D1SMH11D1SR2MH11D1SR2VMH11D1SVMH11D1TMH11D1VMH11D1W
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Входной ток
Iin
<60 мА
Выходное напряжение
Uout
<300 В
Корпус микросхемы
Корпус
6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide
Каналов
Каналов
1
Производитель
Производитель
Fairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouLite-On IncLite-On IncFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics Grou
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5 кВRMS<5 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВ
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<100 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Transistor with Base
Current Transfer Ratio
K
>20 %2mA>20 %2mA>20 %10mA>20 %10mA>20 %2mA>20 %2mA>20 %2mA>20 %2mA>20 %2mA>20 %2mA>20 %2mA>20 %2mA