На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | H11B2S | H11B2SD | H11B2W | |
|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия |
Входной ток | Iin | <60 мА | ||
Выходное напряжение | Uout | <25 В | ||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | ||
Производитель | Производитель | Vishay/Semiconductors | ||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <5.3 кВRMS | ||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 В | ||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | ||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <100 мА | ||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Darlington with Base | ||
Current Transfer Ratio | K | >200 %1mA | ||