H11B255

H11B255, H11B255S, H11B255SD, H11B255W

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрH11B255SH11B255SDH11B255W
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйВ отверстия
Входной ток
Iin
<100 мА
Выходное напряжение
Uout
<55 В
Корпус микросхемы
Корпус
6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP Wide
Каналов
Каналов
1
Производитель
Производитель
Fairchild Optoelectronics Grou
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<5.3 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1 В
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Darlington with Base
Current Transfer Ratio
K
>100 %10mA