На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | H11B1M | H11B1S | H11B1SD | H11B1SM | H11B1SR2M | H11B1SR2VM | H11B1VM | H11B1W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия |
Входной ток | Iin | <60 мА | |||||||
Выходное напряжение | Uout | <25 В | |||||||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide | 6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | |||||||
Производитель | Производитель | Vishay/Semiconductors | |||||||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <5.3 кВRMS | |||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 В | |||||||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | |||||||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <100 мА | |||||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Darlington with Base | |||||||
Current Transfer Ratio | K | >500 %1mA | |||||||