На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | H11AV1A | H11AV1AM | H11AV1AVM | H11AV1FM | H11AV1FR2M | H11AV1FR2VM | H11AV1FVM | H11AV1M | H11AV1SM | H11AV1SR2M | H11AV1SR2VM | H11AV1SVM | H11AV1VM | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Входной ток | Iin | <60 мА | ||||||||||||
Выходное напряжение | Uout | <70 В | ||||||||||||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP | 6-DIP | 6-DIP | 6-SMD | 6-SMD | 6-SMD | 6-SMD | 6-DIP | 6-SMD | 6-SMD | 6-SMD | 6-SMD | 6-SMD |
Каналов | Каналов | 1 | ||||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Optoelectronics Grou | ||||||||||||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <7.5 кВRMS | ||||||||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | ||||||||||||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | ||||||||||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor with Base | ||||||||||||
Current Transfer Ratio | K | (не задано) | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA |