На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | H11AA814A | H11AA814A300 | H11AA814A300W | H11AA814A3S | H11AA814A3SD | H11AA814AS | H11AA814ASD | H11AA814AW | H11AA814S | H11AA814SD | H11AA814W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия |
Входной ток | Iin | <50 мА | ||||||||||
Выходное напряжение | Uout | <70 В | ||||||||||
Корпус микросхемы | Корпус | 4-DIP, 4-DIP | 4-DIP, 4-DIP | 4-DIP, 4-DIP Wide | 4-DIP, 4-SMD | 4-DIP, 4-SMD | 4-DIP, 4-SMD | 4-DIP, 4-SMD | 4-DIP, 4-DIP Wide | 4-DIP, 4-SMD | 4-DIP, 4-SMD | 4-DIP, 4-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | ||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Optoelectronics Grou | ||||||||||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <5.3 кВRMS | ||||||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <200 мВ | ||||||||||
Тип входа оптопары | Тип входа | AC, DC | ||||||||||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <50 мА | ||||||||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor | ||||||||||
Current Transfer Ratio | K | >50 %1mA | >50 %1mA | >50 %1mA | >50 %1mA | >50 %1mA | >50 %1mA | >50 %1mA | >50 %1mA | >20 %1mA | >20 %1mA | >20 %1mA |