На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | H11AA3M | H11AA3S | H11AA3SD | H11AA3SM | H11AA3SR2M | H11AA3SR2VM | H11AA3SVM | H11AA3TM | H11AA3TVM | H11AA3VM | H11AA3W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия | В отверстия | В отверстия |
Входной ток | Iin | <100 мА | ||||||||||
Выходное напряжение | Uout | <30 В | ||||||||||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-DIP Wide | 6-DIP, 6-DIP Wide | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | ||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Optoelectronics Grou | ||||||||||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <5.3 кВRMS | ||||||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | ||||||||||
Тип входа оптопары | Тип входа | AC, DC | ||||||||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor with Base | ||||||||||
Current Transfer Ratio | K | >50 %10mA | ||||||||||