H11A817A

H11A817, H11A817A, H11A817A300, H11A817A300W, H11A817A3S, H11A817A3SD, H11A817AS, H11A817ASD, H11A817AW, H11A817B, H11A817B300, H11A817B300W, H11A817B3S, H11A817B3SD, H11A817BS, H11A817BSD, H11A817BW, H11A817C, H11A817C300, H11A817C300W, H11A817C3S, H11A817C3SD, H11A817CS, H11A817CSD, H11A817CW, H11A817D, H11A817D300, H11A817D300W, H11A817D3S, H11A817D3SD, H11A817DS, H11A817DSD, H11A817DW, H11A817S, H11A817SD, H11A817W

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрH11A817AH11A817A300H11A817A300WH11A817A3SH11A817A3SDH11A817ASH11A817ASDH11A817AWH11A817BH11A817B300H11A817B300WH11A817B3SH11A817B3SDH11A817BSH11A817BSDH11A817BWH11A817CH11A817C300H11A817C300WH11A817C3SH11A817C3SDH11A817CSH11A817CSDH11A817CWH11A817DH11A817D300H11A817D300WH11A817D3SH11A817D3SDH11A817DSH11A817DSDH11A817DWH11A817SH11A817SDH11A817W
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйВ отверстия
Входной ток
Iin
<50 мА
Выходное напряжение
Uout
<70 В
Корпус микросхемы
Корпус
4-DIP, 4-DIP4-DIP, 4-DIP4-DIP, 4-DIP Wide4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-DIP Wide4-DIP, 4-DIP4-DIP, 4-DIP4-DIP, 4-DIP Wide4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-DIP Wide4-DIP, 4-DIP4-DIP, 4-DIP4-DIP, 4-DIP Wide4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-DIP Wide4-DIP, 4-DIP4-DIP, 4-DIP4-DIP, 4-DIP Wide4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-DIP Wide4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-SMD4-DIP, 4-DIP Wide
Каналов
Каналов
1
Производитель
Производитель
Fairchild Optoelectronics Grou
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<5.3 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<200 мВ
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<50 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Transistor
Current Transfer Ratio
K
>80 %5mA>80 %5mA>80 %5mA>80 %5mA>80 %5mA>80 %5mA>80 %5mA>80 %5mA>130 %5mA>130 %5mA>130 %5mA>130 %5mA>130 %5mA>130 %5mA>130 %5mA>130 %5mA>200 %5mA>200 %5mA>200 %5mA>200 %5mA>200 %5mA>200 %5mA>200 %5mA>200 %5mA>300 %5mA>300 %5mA>300 %5mA>300 %5mA>300 %5mA>300 %5mA>300 %5mA>300 %5mA>50 %5mA>50 %5mA>50 %5mA