На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | H11A617A | H11A617A300 | H11A617A300W | H11A617A3S | H11A617A3SD | H11A617AS | H11A617ASD | H11A617AW | H11A617B | H11A617B300 | H11A617B300W | H11A617B3S | H11A617B3SD | H11A617BS | H11A617BSD | H11A617BW | H11A617C | H11A617C300 | H11A617C300W | H11A617C3S | H11A617C3SD | H11A617CS | H11A617CSD | H11A617CW | H11A617D | H11A617D300 | H11A617D300W | H11A617D3S | H11A617D3SD | H11A617DS | H11A617DSD | H11A617DW | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия |
Входной ток | Iin | <50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
Выходное напряжение | Uout | <70 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
Корпус микросхемы | Корпус | 4-DIP | 4-DIP | 4-DIP Wide | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-DIP Wide | 4-DIP | 4-DIP | 4-DIP Wide | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-DIP Wide | 4-DIP | 4-DIP | 4-DIP Wide | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-DIP Wide | 4-DIP | 4-DIP | 4-DIP Wide | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Optoelectronics Grou | |||||||||||||||||||||||||||||||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <5.3 кВRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | |||||||||||||||||||||||||||||||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor | |||||||||||||||||||||||||||||||
Current Transfer Ratio | K | >13 %1mA | >13 %1mA | >13 %1mA | >13 %1mA | >13 %1mA | >13 %1mA | >13 %1mA | >13 %1mA | >63 %10mA | >63 %10mA | >63 %10mA | >63 %10mA | >63 %10mA | >63 %10mA | >63 %10mA | >63 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >160 %10mA | >160 %10mA | >160 %10mA | >160 %10mA | >160 %10mA | >160 %10mA | >160 %10mA | >160 %10mA |