H11A5

H11A5, H11A5FM, H11A5FR2M, H11A5FR2VM, H11A5FVM, H11A5M, H11A5S, H11A5S-TA, H11A5S-TA1, H11A5SD, H11A5SM, H11A5SR2M, H11A5SR2VM, H11A5SVM, H11A5TM, H11A5TVM, H11A5VM, H11A5W

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрH11A5FMH11A5FR2MH11A5FR2VMH11A5FVMH11A5MH11A5SH11A5S-TAH11A5S-TA1H11A5SDH11A5SMH11A5SR2MH11A5SR2VMH11A5SVMH11A5TMH11A5TVMH11A5VMH11A5W
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Входной ток
Iin
<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<60 мА<60 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА
Выходное напряжение
Uout
<30 В
Корпус микросхемы
Корпус
6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide
Каналов
Каналов
1
Производитель
Производитель
Fairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouLite-On IncFairchild Optoelectronics GrouLite-On IncLite-On IncFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics Grou
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5 кВRMS<5.3 кВRMS<5 кВRMS<5 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВ
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<150 мА<150 мА<150 мА<150 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Transistor with Base
Current Transfer Ratio
K
>30 %10mA