На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | H11A4FM | H11A4FR2M | H11A4FR2VM | H11A4FVM | H11A4M | H11A4S | H11A4S-TA | H11A4S-TA1 | H11A4SD | H11A4SM | H11A4SR2M | H11A4SR2VM | H11A4SVM | H11A4TM | H11A4TVM | H11A4VM | H11A4W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия | В отверстия | В отверстия |
Входной ток | Iin | <60 мА | <60 мА | <60 мА | <60 мА | <60 мА | <60 мА | <60 мА | <60 мА | <100 мА | <60 мА | <60 мА | <60 мА | <60 мА | <60 мА | <60 мА | <60 мА | <100 мА |
Выходное напряжение | Uout | <30 В | ||||||||||||||||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-DIP Wide | 6-DIP, 6-DIP Wide | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | ||||||||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Lite-On Inc | Lite-On Inc | Lite-On Inc | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou |
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <5 кВRMS | <5 кВRMS | <5 кВRMS | <5.3 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <5.3 кВRMS |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | ||||||||||||||||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | ||||||||||||||||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <150 мА | ||||||||||||||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor with Base | ||||||||||||||||
Current Transfer Ratio | K | >10 %10mA | ||||||||||||||||