H11A2

H11A2, H11A2FM, H11A2FR2M, H11A2FR2VM, H11A2FVM, H11A2M, H11A2S, H11A2S-TA, H11A2S-TA1, H11A2SD, H11A2SM, H11A2SR2M, H11A2SR2VM, H11A2SVM, H11A2TM, H11A2TVM, H11A2VM, H11A2W

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрH11A2FMH11A2FR2MH11A2FR2VMH11A2FVMH11A2MH11A2SH11A2S-TAH11A2S-TA1H11A2SDH11A2SMH11A2SR2MH11A2SR2VMH11A2SVMH11A2TMH11A2TVMH11A2VMH11A2W
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Входной ток
Iin
<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<60 мА<60 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА
Выходное напряжение
Uout
<30 В
Корпус микросхемы
Корпус
6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide
Каналов
Каналов
1
Производитель
Производитель
Fairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouLite-On IncLite-On IncFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics Grou
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<5 кВRMS<5 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВ
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<150 мА<150 мА<150 мА<150 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Transistor with Base
Current Transfer Ratio
K
>20 %10mA