H11A1

H11A1, H11A1FM, H11A1FR2M, H11A1FR2VM, H11A1FVM, H11A1M, H11A1S, H11A1S-TA, H11A1S-TA1, H11A1SD, H11A1SM, H11A1SR2M, H11A1SR2VM, H11A1SVM, H11A1TM, H11A1TVM, H11A1VM, H11A1W

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрH11A1FMH11A1FR2MH11A1FR2VMH11A1FVMH11A1MH11A1SH11A1S-TAH11A1S-TA1H11A1SDH11A1SMH11A1SR2MH11A1SR2VMH11A1SVMH11A1TMH11A1TVMH11A1VMH11A1W
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Входной ток
Iin
<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА
Выходное напряжение
Uout
<30 В
Корпус микросхемы
Корпус
6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide
Каналов
Каналов
1
Производитель
Производитель
Fairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouLite-On IncLite-On IncLite-On IncFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics Grou
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5 кВRMS<5 кВRMS<5 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВ
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<150 мА<150 мА<150 мА<150 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА<50 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Transistor with Base
Current Transfer Ratio
K
>50 %10mA