На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | FOD617A | FOD617A300 | FOD617A300W | FOD617A3S | FOD617A3SD | FOD617AS | FOD617ASD | FOD617AW | FOD617B | FOD617B300 | FOD617B300W | FOD617B3S | FOD617B3SD | FOD617BS | FOD617BSD | FOD617BW | FOD617C | FOD617C300 | FOD617C300W | FOD617C3S | FOD617C3SD | FOD617CS | FOD617CSD | FOD617CW | FOD617D | FOD617D300 | FOD617D300W | FOD617D3S | FOD617D3SD | FOD617DS | FOD617DSD | FOD617DW | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия |
Входной ток | Iin | <50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
Выходное напряжение | Uout | <70 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
Корпус микросхемы | Корпус | 4-DIP | 4-DIP | 4-DIP Wide | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-DIP Wide | 4-DIP | 4-DIP | 4-DIP Wide | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-DIP Wide | 4-DIP | 4-DIP | 4-DIP Wide | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-DIP Wide | 4-DIP | 4-DIP | 4-DIP Wide | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-SMD | 4-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Optoelectronics Grou | |||||||||||||||||||||||||||||||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <5 кВRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | |||||||||||||||||||||||||||||||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor | |||||||||||||||||||||||||||||||
Current Transfer Ratio | K | >13 %1mA | >13 %1mA | >13 %1mA | >13 %1mA | >13 %1mA | >13 %1mA | >13 %1mA | >13 %1mA | >63 %10mA | >63 %1mA | >63 %1mA | >40 %10mA | >40 %10mA | >40 %10mA | >40 %10mA | >63 %1mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >160 %10mA | >160 %10mA | >160 %10mA | >160 %10mA | >160 %10mA | >160 %10mA | >160 %10mA | >160 %10mA |