CNY17F4

CNY17F4, CNY17F4M, CNY17F4S, CNY17F4SD, CNY17F4SM, CNY17F4SR2M, CNY17F4SR2VM, CNY17F4SR2VM_F132, CNY17F4SVM, CNY17F4TM, CNY17F4TVM, CNY17F4VM, CNY17F4W

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрCNY17F4MCNY17F4SCNY17F4SDCNY17F4SMCNY17F4SR2MCNY17F4SR2VMCNY17F4SR2VM_F132CNY17F4SVMCNY17F4TMCNY17F4TVMCNY17F4VMCNY17F4W
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Входной ток
Iin
<60 мА<100 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА
Выходное напряжение
Uout
<70 В
Корпус микросхемы
Корпус
6-SMD, 6-SMD6-SMD, 6-SMD6-SMD, 6-SMD6-SMD, 6-SMD6-SMD, 6-SMD6-SMD, 6-SMD6-SMD, 6-SMD6-SMD, 6-SMD6-SMD, 6-DIP6-SMD, 6-DIP6-SMD, 6-DIP6-SMD, 6-DIP Wide
Каналов
Каналов
1
Производитель
Производитель
Fairchild Optoelectronics Grou
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВ<300 мВ<300 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<300 мВ
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<50 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Transistor
Current Transfer Ratio
K
>160 %10mA